[发明专利]一种制备真空卷对卷镀膜用可挠性基材及薄膜的方法有效
申请号: | 201310486546.8 | 申请日: | 2013-10-17 |
公开(公告)号: | CN103531659A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 黄信二 | 申请(专利权)人: | 研创应用材料(赣州)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C23C14/35 |
代理公司: | 江西省专利事务所 36100 | 代理人: | 杨志宇 |
地址: | 341000 江西省赣*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明公开了一种制备卷对卷真空镀膜可挠性基板及薄膜的方法,使用整卷铝箔或铝合金箔为基材,镀膜前先针对基板表面进行阳极处理,并同时添加钠元素,高温CIGS蒸镀成膜时藉由扩散过程钠元素会进入CIGS膜层中以提高电池的效率。首创使用铝或者铝合金箔当作基材,缓冲层方面并使用溅镀的锌镁氧膜层取代传统的水浴法的CdS膜,使得CIGS太阳能电池能够实现整卷的生产,利用卷对卷溅镀机镀下电极、缓冲层及透明导电膜层,利用卷对卷蒸镀机制备CIGS吸收层,实现CIGS电池的生产在全真空的制程下完成,确保大面积的均匀性,大幅提高电池的生产效率及产率,提高了薄膜质量及性能,符合CIGS薄膜太阳能电池的生产需求。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 真空 镀膜 用可挠性 基材 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
一种制备真空卷对卷镀膜可挠性基材及薄膜的方法,其特征为:使用幅宽15‑150cm的整卷铝箔或铝合金为基材,铝箔或铝合金的厚度小于1.0mm,镀膜前先针对基材表面进行阳极化处理,阳极化处理的工艺参数为:阳极为铝,阴极为铅,电解液组成成分为:浓硫酸和硫代硫酸钠,其中浓硫酸和硫代硫酸钠的体积比为2:7‑9,硫代硫酸钠为1‑5mol/L,电流密度为1.5‑2.0A/dm2 ,反应时间为30‑50min,反应温度:15‑25℃,使得基材中添加的钠元素的质量占基材总质量的0.1‑10%;接着把基材置入卷对卷真空溅镀机腔体内,然后以真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10‑5‑0.9×10‑5 torr后,利用氩气当作工作气体,透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为5×10‑3torr,使用DC电源在基材上溅镀第一层500nm厚的Mo薄膜;然后再使用卷对卷共蒸镀机制造第二层2000nm厚的CIGS吸收层薄膜,共蒸镀镀膜时基材加热至300‑550℃;接着以真空溅镀法制备第三层锌镁氧薄膜,使用锌镁氧靶材放在溅镀机上,以真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10‑5‑0.9×10‑5 torr后,利用氩气当作工作气体,透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2.5×10‑3torr,以RF电源进行溅镀制程,制得厚度100nm的锌镁氧薄膜;最后镀制第四层透明导电膜,使用氧化铟锡靶材放入真空腔体中,以真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10‑5‑0.9×10‑5 torr后,利用氩气当作工作气体,透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为2×10‑3torr,以RF电源进行溅镀制程,制得厚度100nm的透明导电氧化铟锡薄膜,即得。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的