[发明专利]等离子体室中的可调式接地平面无效
| 申请号： | 201310485158.8 | 申请日： | 2009-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN103594340A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 卡希克·贾纳基拉曼;托马斯·诺瓦克;胡安·卡洛斯·罗奇-阿尔维斯;马克·A·福多尔;戴尔·R·杜波依斯;阿米特·班塞尔;穆罕默德·阿尤布;埃勒·Y·朱科;维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南;希姆·M·萨德 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/26;H01L21/30;H05H1/34 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种设备及方法，用于控制等离子体腔室中的等离子体放电的强度及分布。在一实施例中，成形电极嵌入基板支撑件中，以在所述腔室内提供具有径向及轴向分量的电场。在另一实施例中，用绝缘体将喷头组件的面板电极划分为多个区域，而能将不同电压施加至不同区域。此外，一或更多个电极可嵌入所述腔室侧壁中。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 中的 调式 接地 平面 | ||
【主权项】：
一种用于处理基板的设备，包含：腔室，所述腔室具有侧壁；基板支撑件，所述基板支撑件配置在所述腔室中；一或更多个电极，所述一或更多个电极耦合至所述基板支撑件；喷头组件，所述喷头组件具有面板，所述面板相对于所述基板支撑件；及一或更多个接地元件，所述一或更多个接地元件在所述侧壁中，其中所述基板支撑件及所述面板共同界定处理空间，且所述一或更多个电极用于在所述处理空间内产生具有轴向及径向分量的可调整电场。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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