[发明专利]静电放电装置和其制造方法

摘要

在一个实施方案中，本发明公开了静电放电（ESD）装置，包括：半导体衬底，半导体衬底具有第一表面和第二表面；具有第二导电类型且在半导体衬底的第一表面上的第一半导体层；具有第二导电类型且定位在第一半导体层的第一部分和半导体衬底的第一表面之间的第一半导体区域，第一半导体区域以半导体衬底的掺杂物形成齐纳二极管；第一P‑N二极管，其形成在第一半导体层中且覆盖第一半导体区域的第一部分；第一隔离沟槽，其从第一半导体层的第二表面延伸到第一半导体区域的一部分中；和第二P‑N二极管，其形成在第一半导体层中且与第一半导体区域侧向移位，其中第二P‑N二极管在第一隔离沟槽外部。

主权项

1.一种ESD装置，其包括：具有第一导电类型且具有第一掺杂浓度的半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面和第二表面；具有第二导电类型且在所述半导体衬底的所述第一表面上的第一半导体层，其中所述第一半导体层具有布置在所述半导体衬底的所述第一表面和所述半导体层的第二表面之间的第一表面，且其中所述第一半导体层具有第二掺杂浓度；具有所述第二导电类型且定位在所述第一半导体层的第一部分和所述半导体衬底的所述第一表面之间的第一半导体区域，所述第一半导体区域以所述半导体衬底的掺杂物形成齐纳二极管；第一P‑N二极管，其形成在所述第一半导体层中且覆盖所述第一半导体区域的第一部分；第一隔离沟槽，其从所述第一半导体层的所述第二表面延伸到所述第一半导体区域的一部分中，所述第一隔离沟槽形成围绕所述第一P‑N二极管和覆盖所述第一半导体区域的所述第一半导体层的第二部分的封闭结构；和第二P‑N二极管，其形成在所述第一半导体层中且与所述第一半导体区域侧向移位，其中所述第二P‑N二极管在所述第一隔离沟槽外部。