[发明专利]一种低电阻率的ZnO/CdO复合薄膜无效
| 申请号： | 201310479638.3 | 申请日： | 2013-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN104561911A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 鲍云根 | 申请（专利权）人： | 鲍云根 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08;B32B9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 225004 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低电阻率ZnO/CdO复合薄膜，该薄膜的主要制备步骤为用四靶托脉冲激光沉积设备，所述靶托采用高纯金属Zn靶和Cd靶，在10Pa氧气气氛下，基底温度为300℃，激光溅射沉积10层ZnO和CdO相间隔的复合薄膜结构。本发明的方法，通过脉冲激光沉积法在石英玻璃基底上制备ZnO/CdO复合薄膜。采用X射线衍射仪鉴定薄膜的相组成、晶体结构和晶体择优取。使用日本Shi-madzu公司生产的JSM6700F型场发射扫描电子显微镜不观察表面形貌，同时使用场发射扫描电子显微镜配套的能谱分析薄膜的成分含量。薄膜由ZnO和CdO两相纳米级晶粒组成，并且晶粒尺寸随着CdO的增大而显著减小；所有的ZnO/CdO在可见光范围内具有较高的透过率。更重要的是ZnO/CdO复合薄膜保持了ZnO的发光特性，即呈现出的传统的紫外发光特性，且光致发光峰的位置不变；同时在保持了ZnO光学特性外，ZnO/CdO复合薄膜还具有较低的电阻率可达到10-2-10-3Ω·CM，接近纯CdO薄膜的电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻率 zno cdo 复合 薄膜 | ||
【主权项】：
一种低电阻率的ZnO/CdO复合薄膜，其特征在于，采用如下方法制成，用四靶托脉冲激光沉积设备，所述靶托采用高纯金属Zn靶和Cd靶，在10Pa氧气气氛下，基底温度为300℃，激光溅射沉积10层ZnO和CdO相间隔的复合薄膜结构。
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