[发明专利]LDMOS及其制造方法在审
| 申请号： | 201310473814.2 | 申请日： | 2013-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN104576374A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 黄晨 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LDMOS及其制造方法：A、在基底上形成LDNMOS区内用于隔离P型阱和N-漂移区的STI；B、在LDNMOS区进行离子注入形成P型阱；C、在所述P型阱内离子注入形成位于栅极结构两侧对称设置的N-漂移区；D、在N-漂移区之间的基底表面形成栅极结构；E、在N-漂移区中进行N+掺杂形成源极和漏极；该方法还包括：在步骤D形成栅极结构之前的任意两个步骤之间或者在LDPMOS形成过程中，对所述漏极一侧的N-漂移区进行预定深度的离子注入形成P反型离子漂浮区，所述P反型离子漂浮区位于N-漂移区中，与STI和漏极具有预定间隔。本发明还提供了一种LDMOS及其制造方法。本发明能够提高击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管LDMOS的制造方法，所述LDMOS为LDNMOS，该方法包括以下步骤： A、在基底上形成LDNMOS区内用于隔离P型阱和N‑漂移区的STI； B、在LDNMOS区进行离子注入形成P型阱； C、在所述P型阱内离子注入形成位于栅极结构两侧对称设置的N‑漂移区； D、在N‑漂移区之间的基底表面形成栅极结构； E、在N‑漂移区中进行N+掺杂形成源极和漏极； 其特征在于，该方法还包括：在步骤D形成栅极结构之前的任意两个步骤之间，或者在LDPMOS形成过程中，对所述漏极一侧的N‑漂移区进行预定深度的离子注入形成P反型离子漂浮区，所述P反型离子漂浮区位于N‑漂移区中，与STI和漏极具有预定间隔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
