[发明专利]一种低扩散高空穴浓度的P型GaN基材料生长方法无效
| 申请号： | 201310471852.4 | 申请日： | 2013-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN103500702A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 李淼;游桥明 | 申请（专利权）人： | 西安神光皓瑞光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710100 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种低扩散高空穴浓度的P型GaN基材料生长方法，旨在进一步提高P型材料的掺杂效率和空穴浓度，提高发光器件的效率，并同时尽可能减少Mg向量子阱的扩散而影响量子阱的质量。该方法是按照常规方式依次生长完基础材料GaN，NGaN和MQW之后，以变化的配比通入Mg/Ga，特别是Mg/Ga比例的线性和阶梯性流量变化（另外还进一步配合加入Al和In），调整匹配P型GaN结构，既能保证材料的高空穴浓度又不至于对原有结构破坏，从而整体上提升材料质量和器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 扩散 空穴 浓度 gan 基材 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种低扩散高空穴浓度的P型GaN基材料生长方法，是在依次生长完基础材料GaN，NGaN和MQW之后，通入Mg和Ga，其特征在于：通入Mg和Ga的过程，存在Mg与Ga的流量比例变化的阶段。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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