[发明专利]无分面应变硅晶体管

摘要

在外延生长的晶体中存在分面或者空隙表明缺陷或者某些材料边界已经中断晶体生长。可以在外延生长硅化合物期间抑制分面化，这些硅化合物形成应变硅晶体管的源极区域和漏极区域。已经观察到分面化可以在与氧化物边界相邻生长某些硅化合物的外延层时出现，但是分面化在与硅边界相邻或者与氮化物边界相邻生长外延层时未出现。由于硅化合物的外延生长在用氧化物填充的隔离沟槽附近经常有必要，所以用于抑制这些区域中的分面化的技术特别令人感兴趣。本文呈现的一种这样的技术是用SiN对隔离沟槽加衬以在氧化物与其中将外延生长的区域之间提供屏障。

主权项

1.一种用于在集成电路中使用的器件，所述器件包括：硅衬底，具有第一表面；硅化合物的无分面的外延生长的区域，形成在所述衬底上并且从所述第一表面延伸，所述外延生长的区域具有第二表面；在所述硅衬底的所述第一表面上的栅极结构，所述栅极结构的一部分在底切区域之上延伸，在所述底切区域中所述外延生长的区域的平面侧表面与所述硅衬底抵接，所述外延生长的区域的所述平面侧表面与所述硅衬底的所述第一表面垂直；以及隔离沟槽，延伸通过所述外延生长的区域的所述第二表面并且延伸到所述硅衬底中，所述隔离沟槽抵接所述外延生长的区域和所述硅衬底的相应的侧面，所述隔离沟槽具有保形氮化物衬垫，所述保形氮化物衬垫覆盖所述隔离沟槽的壁并且与所述外延生长的区域和所述硅衬底的整个所述相应的侧面抵接接触并且覆盖整个所述相应的侧面，所述氮化物衬垫是单个连续的层，加衬的所述隔离沟槽填充有氧化物，所述氧化物具有第三表面，其中所述外延生长的区域的所述第二表面在所述隔离沟槽中的所述氧化物的所述第三表面与所述硅衬底的所述第一表面之间。