[发明专利]一种高精度带隙基准电压源

摘要

一种高精度带隙基准电压源。它由运算放大器OP，多个PMOS管PM与多个NMOS管NM及多个PNP三极管Q以及若干个电阻R连接组成，采用在正负温度区间内分别实行温度补偿的方法，分别在电阻和三极管上用NMOS管分流电流实现这一目的，通过在运算放大器OP和电源VCC之间引入负反馈以提高带隙基准电压源的电压抑制比，从而是带隙基准电压源获得高精度基准电压；在‑40‑120℃温度范围内具有8.20ppm／℃以下的温度系数和在低频下具83.0dB的电源电压抑制比，可广泛用于要求提供高精度参考电位的民用或军用集成电路中。

主权项

一种高精度带隙基准电压源，其特征在于，它是由正温度系数电流产生模块(1)、正温度系数补偿电压产生模块(2)、基准输出支路模块(3)连接构成；由运算放大器OP、第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第一NMOS管NM1、第一PNP三级管Q1、第二PNP三级管Q2、第一电阻R1、第二电阻R2、电源VCC、接地GND连接成正温度系数电流产生模块(1)；由第四PMOS管PM4、第五PMOS管PM5、第二NMOS管NM2、第三NMOS管NM3、第三PNP三级管Q3、第三电阻R3连接成正温度系数补偿电压产生模块(2)；由第六PMOS管PM6、第七PMOS管PM7、第四NMOS管NM4、第五NMOS管NM5、第四PNP三级管Q4、第四电阻R4、基准电压输出端Vref连接成基准输出支路模块(3)；上述三个模块之间的连接是：第一PMOS管PM1至第七PMOS管PM7的源级共接至电源VCC；第一PMOS管PM1至第七PMOS管PM7的栅极相共接；第一PNP三级管Q1至第四PNP三级管Q4的基极、集电极共接至接地GND；正温度系数补偿电压产生模块(2)中的第五PMOS管PM5的漏极与第二NMOS管NM2的栅极及第三电阻R3一端的共接点连接至基准输出支路模块(3)中的第四NMOS管NM4的栅极。