[发明专利]硅基液晶面板的制作方法有效
| 申请号： | 201310460926.4 | 申请日： | 2013-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN104516138B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 李新;戚德奎;陈政 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1333 | 分类号： | G02F1/1333;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种硅基液晶面板的制作方法，包括提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成金属层、位于金属层上的保护层、位于保护层上的硬掩膜层；刻蚀所述硬掩膜层和保护层，在硬掩膜层和保护层中形成若干第一开口；以所述硬掩膜层和保护层为掩膜，沿第一开口刻蚀所述金属层，形成若干行列排布的金属块，相邻金属块之间具有第二开口，金属块的表面为光线反射面；形成覆盖硬掩膜层表面的隔离介质层，所述隔离介质层填充满第一开口和第二开口；平坦化所述隔离介质层，暴露出硬掩膜层的表面；去除所述硬掩膜层；采用灰化工艺去除所述保护层。防止金属块表面产生损伤缺陷，提高了像素结构的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶面板 制作方法 | ||
【主权项】：
一种硅基液晶面板的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成金属层、位于金属层上的保护层、位于保护层上的硬掩膜层；刻蚀所述硬掩膜层和保护层，在硬掩膜层和保护层中形成若干第一开口；以所述硬掩膜层和保护层为掩膜，沿第一开口刻蚀所述金属层，形成若干行列排布的金属块，相邻金属块之间具有第二开口，金属块的表面为光线反射面；形成覆盖硬掩膜层表面的隔离介质层，所述隔离介质层填充满第一开口和第二开口；平坦化所述隔离介质层，暴露出硬掩膜层的表面；去除所述硬掩膜层；采用灰化工艺去除所述保护层。
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