[发明专利]用于先进后端工艺线互连的组合大马士革和减薄金属刻蚀的系统及方法

摘要

通过组合大马士革工艺和减薄金属刻蚀来将金属互连形成在集成电路中。在电介质层中形成宽沟槽。在宽沟槽中沉积导电材料。在导电材料中刻蚀沟槽，以限定多个金属插塞，每个金属插塞包括被宽沟槽暴露出的相应的金属迹线。

主权项

一种方法，包括：在衬底上形成第一金属迹线和第二金属迹线；在所述第一金属迹线和所述第二金属迹线之上形成金属间电介质层；通过刻蚀所述金属间电介质层来形成暴露所述第一金属迹线和所述第二金属迹线的第一沟槽；在所述第一金属迹线和所述第二金属迹线上的所述第一沟槽中沉积第一导电材料；以及通过刻蚀所述第一导电材料在所述第一金属层中形成第二沟槽，所述第二沟槽通过所述第一导电材料限定第一导电插塞和第二导电插塞，所述第一导电插塞电连接至所述第一金属迹线，所述第二导电插塞电连接至所述第二金属迹线并且与所述第一导电插塞电隔离。