[发明专利]一种光刻掩模优化设计方法

摘要

本发明公开了一种光刻掩模优化设计方法，该方法首先依据表征掩模的网格格点尺寸大小对掩模进行分级，在粗网格上快速求解掩模，然后对在粗网格上求解得到的掩模进行插值传播到下一级较细网格上进行细化校正，最终实现了掩模的快速优化。

主权项

一种光刻掩模优化设计方法，包括：步骤1、输入目标图形；步骤2、构造目标函数F，用于评价掩模在硅片上的曝光图形与目标图形的误差；步骤3、依据表征掩模的网格格点尺寸大小，将掩模M分成3级：L1、L2、L3，其中，3个等级的掩模按照网格的格点大小依次排列，L1级网格尺寸最大、最粗糙，L3级网格尺寸最小、最精细；步骤4、在L1级网格上，将目标图形作为掩模初始值，采用共轭梯度迭代法对目标函数F进行迭代，计算在L1级网格上的最优掩模（14）；步骤5、对L1级网格上得到的最终掩模（14）进行插值，传播到L2级网格上得到掩模（15）；步骤6、在L2级网格上，采用细化校正算法对该传播到L2级网格上的掩模（15）进行细化校正，得到L2级网格上的最优掩模（16）；步骤7、对L2级网格上得到的最优掩模（16）进行插值，传播到L3级网格上得到掩模（17）；步骤8、在L3级网格上，采用细化校正算法对该传播到L3级网格上的掩模（17）进行细化校正，得到L3级网格上的最优掩模（18），即为最终得到的优化掩模。