[发明专利]一种肖特基芯片专用外延片的生长方法在审
| 申请号： | 201310423509.2 | 申请日： | 2013-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN103489761A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 徐林海;黄力平;朱春生;张瑞丽;周诗雨 | 申请（专利权）人： | 杭州立昂微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 | 代理人： | 吴秉中 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种肖特基芯片专用的外延片生长方法，包括如下步骤：在高温环境下，先采用H2+HCL对硅片进行预处理；然后在硅片表面淀积一定厚度的不掺杂的纯硅；接着，按照一定的比例调整掺杂量，使得外延片的过渡层的电阻率呈线性变化，并且具有一定的斜率。本发明的肖特基芯片专用的外延片生长方法制造的外延片来生产肖特基芯片，可以使得芯片的正向（Vf）参数及抗ESD能力都非常优良。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 芯片 专用 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基芯片专用的外延片生长方法，包括如下步骤：在高温环境下，先采用H2+HCL对硅片进行预处理；然后在硅片表面淀积一定厚度的不掺杂的纯硅；接着，按照一定的比例调整掺杂量，使得外延片的过渡层的电阻率呈线性变化，并且具有一定的斜率。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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