[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制作方法有效
申请号: | 201310420074.6 | 申请日: | 2013-09-13 |
公开(公告)号: | CN103474510A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 张风燕;李超;于洋;云大钦;张然 | 申请(专利权)人: | 厦门大学;厦门虹鹭钨钼工业有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 张松亭 |
地址: | 361000 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制作方法,包括将导电钼浆用喷涂、刮涂或印刷的方式置于太阳能电池基板上,制得太阳能电池背电极;再在上述太阳能电池背电极的基础上制作铜铟镓硒薄膜太阳能电池。与现有技术相比,本发明的方法采用非真空制备技术来制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极,即采用丝网印刷法或者刮涂法,工艺简单,降低制造成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制作方法,其特征在于:包括如下步骤:(1)配制导电钼浆,包括如下重量份的组分:
其中有机载体包括质量比为1-5:9-20的环氧树脂和有机溶剂,添加剂包括适量NaOH、增稠剂、增塑剂和表面活性剂;将上述各组分充分混合,制得导电钼浆;(2)将上述导电钼浆用喷涂、刮涂或印刷的方式置于太阳能电池基板上,制得太阳能电池背电极;再在上述太阳能电池背电极的基础上制作铜铟镓硒薄膜太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的