[发明专利]一种多晶/类单晶硅太阳能电池选择性发射极结构的制备方法无效
| 申请号： | 201310405652.9 | 申请日： | 2013-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN103531657A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 王丽春;赵彦;黄海冰;吕俊;王艾华;赵建华 | 申请（专利权）人： | 中电电气（南京）光伏有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 211100 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种多晶/类单晶硅太阳能电池选择性发射极结构的制备方法，步骤如下（1）化学去除表面能损伤层；（2）采用一次扩散工艺进行重掺杂，形成PN结；（3）硅片表面生长或形成介质层或掩膜层；（4）化学腐蚀方法腐蚀非电极栅线区的介质层而保留电极栅线区下的掩膜层；（5）利用反应离子刻蚀RIE在非电极栅线区刻蚀出100-300nm的金字塔绒面结构，同时一次性形成浅掺杂区；（6）使用湿化学方法一次性去除反应离子刻蚀形成的表面损伤层及电极栅线区下掩膜层，即得到选择性发射极结构。本发明采用一次扩散结合反应离子刻蚀技术就完成选择性发射极多晶/类单晶硅太阳电池所需的轻重掺杂和低反射率纳米级表面织构，简化了工艺路径，转化效率高，适合工业化量产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 单晶硅 太阳能电池 选择性 发射极 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶/类单晶硅太阳能电池选择性发射极结构的制备方法，其特征是包括以下步骤（1）化学去除多晶/类单晶硅硅片的表面能损伤层；（2）对硅片表面采用一次扩散工艺进行重掺杂，形成PN结；（3）硅片表面生长或形成介质层或掩膜层，掩膜层厚20‑300nm；（4）化学腐蚀方法腐蚀非电极栅线区的掩膜层而保留电极栅线区下的掩膜层；（5）利用反应离子刻蚀RIE在非电极栅线区刻蚀出100‑300nm的金字塔绒面结构，同时一次性形成浅掺杂区；（6）使用湿化学方法一次性去除反应离子刻蚀形成的表面损伤层及电极栅线区下掩膜层，即得到选择性发射极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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