[发明专利]互连结构有效
| 申请号： | 201310395701.5 | 申请日： | 2013-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN104422987B | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 钟汇才;朱慧珑;张鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种互连结构，包括：芯片，具有上表面和下表面；穿硅通孔（TSV），贯穿芯片的上下表面；TSV光纤通路，由光纤填充在TSV中形成，作为芯片间的互连介质，至少与芯片一个表面中的半导体器件实现电接触和/或电连接。依照本发明的互连结构，在TSV结构的3D封装中使用光纤替代传统的金属互连，解决了在高速数据传输中电互连存在的延迟、功耗、带宽等缺点，另外提出了在电信号的输出端与光发送器之间根据需要增加可编程器件或数据分配器，极大的增加了封装设计的灵活性。 | ||
| 搜索关键词： | 互连结构 芯片 光纤 高速数据传输 半导体器件 可编程器件 数据分配器 穿硅通孔 封装设计 光发送器 光纤通路 互连介质 金属互连 上下表面 传统的 电接触 电连接 上表面 输出端 下表面 互连 功耗 填充 延迟 带宽 贯穿 替代 | ||
【主权项】：
1.一种互连结构，包括：芯片，具有上表面和下表面，具有光发射器电路，在光发射器电路前端具有可编程器件与光发射器电路的片选信号相连，从而能够通过对可编程器件的编程来实现TSV光纤通路的通或者断；穿硅通孔(TSV)，贯穿芯片的上下表面；TSV光纤通路，由光纤填充在TSV中形成，作为芯片间的互连介质，至少与芯片一个表面中的半导体器件实现电接触和/或电连接。
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