[发明专利]一种芯片失效分析样品的制备方法有效
| 申请号： | 201310379862.5 | 申请日： | 2013-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104422606B | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 文智慧;李日鑫;高保林;苏新亭 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N1/32;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种芯片失效分析样品的制备方法，包括步骤1）提供一芯片，所述芯片具有一正面及一背面，且所述芯片包裹有封装膜塑；2）于所述芯片中定义目标层，对所述芯片的正面一侧进行研磨，去除所述正面一侧的封装塑膜及部分的芯片，直至研磨面与所述目标层表面之间具有一预设间距；3）于所述研磨面表面形成保护层；4）去除剩余的封装膜塑；5）采用抛光工艺去除所述保护层，并继续抛光直至露出所述目标层。由于封装膜塑与芯片有匹配的膨胀系数，研磨过程中芯片不会弯曲，而且，封装膜塑能很大程度的加大样品的尺寸，增加研磨时的方位可控性；后续过程中采用气相沉积法形成保护层后去除封装塑膜，然后进行抛光便可获得平坦的目标层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 失效 分析 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片失效分析样品的制备方法，包括步骤：1)提供一芯片，所述芯片具有一正面及一背面，且所述芯片包裹有封装膜塑，其特征在于，还包括以下步骤：2)于所述芯片中定义目标层，对所述芯片的正面一侧进行研磨，去除所述正面一侧的封装塑膜及部分的芯片，直至研磨面与所述目标层表面之间具有一预设间距；3)于所述研磨面表面形成保护层；4)去除剩余的封装膜塑；5)采用抛光工艺去除所述保护层，并继续抛光直至露出所述目标层。
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