[发明专利]导电插塞的形成方法

摘要

一种导电插塞的形成方法，导电插塞与金属栅极晶体管的金属栅极电连接，该形成方法包括提供衬底；在衬底上形成金属栅极，金属栅极包括铝层；形成位于衬底上的第一层间介质层，第一层间介质层的上表面与铝层的上表面齐平；在第一层间介质层及金属栅极上形成第二层间介质层；进行第一干法刻蚀，以在第二层间介质层内形成底部露出铝层的接触孔；进行第二干法刻蚀，以去除第一干法刻蚀步骤在接触孔底部和侧壁上所形成的聚合物；第二干法刻蚀之后，向接触孔内填充金属，形成导电插塞。本发明的技术方案解决了金属栅极与导电插塞无法电连接的问题。

主权项

一种导电插塞的形成方法，所述导电插塞与金属栅极晶体管的金属栅极电连接，其特征在于，所述形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成金属栅极，所述金属栅极包括铝层；形成位于所述衬底上的第一层间介质层，所述第一层间介质层的上表面与铝层的上表面齐平；在所述第一层间介质层及金属栅极上形成第二层间介质层；进行第一干法刻蚀，以在所述第二层间介质层内形成底部露出铝层的接触孔；进行第二干法刻蚀，以去除所述第一干法刻蚀步骤在接触孔底部和侧壁上所形成的聚合物；所述第二干法刻蚀之后，向所述接触孔内填充金属，形成导电插塞；进行所述第二干法刻蚀采用的气体为N2，或者进行所述第二干法刻蚀采用的气体为N2和H2，或者进行所述第二干法刻蚀采用的气体为O2及CO。