[发明专利]晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201310378974.9 | 申请日： | 2013-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104425267B | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 何永根 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种晶体管的形成方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底包括PMOS区域，所述PMOS区域半导体衬底表面形成有PMOS栅极结构；在所述PMOS栅极结构两侧的半导体衬底内形成凹槽；采用第一外延工艺在凹槽内形成第一应力层，所述第一应力层上表面低于半导体衬底上表面；采用第二外延工艺形成覆盖第一应力层的第二应力层，所述第二应力层的材料中含有碳原子，且所述第二应力层上表面高于半导体衬底上表面或与半导体衬底上表面齐平。本发明提高半导体衬底上表面附近区域应力层的致密度及稳定性，降低应力层受到晶体管形成工艺中化学物质侵蚀的速率，从而提高晶体管的载流子迁移率，提高晶体管的驱动电流。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括PMOS区域，所述PMOS区域半导体衬底表面形成有PMOS栅极结构；在所述PMOS栅极结构两侧的半导体衬底内形成凹槽；采用第一外延工艺在凹槽内形成第一应力层，且所述第一应力层上表面低于半导体衬底上表面，所述第一应力层上表面至半导体衬底上表面的高度差为20埃至50埃，所述第一应力层的材料为SiGe或SiGeB；采用第二外延工艺形成覆盖第一应力层的第二应力层，所述第二应力层的材料为SiGeC或SiGeBC，所述第二应力层的材料中含有碳原子，且所述第二应力层上表面高于半导体衬底上表面或与半导体衬底上表面齐平。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
