[发明专利]一种闪存阵列的参考单元、闪存阵列有效
| 申请号： | 201310376630.4 | 申请日： | 2013-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN104425011B | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 洪杰;苏如伟;王林凯 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种闪存阵列的参考单元、闪存阵列，其中，所述参考单元包括N型场效应管或电阻基准，其中N型场效应管经分压电路与闪存阵列的存储单元连接或电阻基准与电流镜连接，所述分压电路被配置为使得作为参考电流的参考单元的N型场效应管的漏极电流或所述电流镜被配置为使得电阻基准的电流经电流镜复制后得到的参考电流位于存储单元存1时的电流与存0时的电流之间。通过将闪存阵列的参考单元中的浮栅型场效应管用N型场效应管或电阻基准代替，能够使得参考电流位于存储单元存1时的电流与存0时的电流之间，简化了参考单元的设计；此外，还能够减少参考单元的出厂检测时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 阵列 参考 单元 | ||
【主权项】：
一种闪存阵列的参考单元，所述参考单元用于产生与所述闪存阵列的存储单元的电流进行比较的参考电流，其特征在于，所述参考单元包括：N型场效应管，其中所述N型场效应管经分压电路与所述闪存阵列的存储单元连接，所述分压电路被配置为使得作为所述参考电流的所述参考单元的N型场效应管的漏极电流位于所述存储单元存1时的电流与存0时的电流之间，其中，所述分压电路是指一个或多个线性的电阻器，多个线性电阻器的连接方式包括串联连接、并联连接或串联与并联的组合连接；或电阻基准，其中所述电阻基准的一端与电流镜连接，所述电流镜被配置为使得所述电阻基准的电流经所述电流镜的复制比例系数调节后得到的所述参考电流位于所述存储单元存1时的电流与存0时的电流之间。
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