[发明专利]使用快速退火在SiGe层上形成均匀Ni（Pt）Si（Ge）接触的方法和器件有效
| 申请号： | 201310371406.6 | 申请日： | 2013-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN103632951A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | J·S·纽伯里;K·P·罗德贝尔;章贞;朱煜 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/324;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 发明涉及使用快速退火在SiGe层上形成均匀Ni（Pt）Si（Ge）接触的方法和器件。提供了在不使用帽层的情况下形成光滑硅化物的技术。在一个方面，提供了一种用于形成硅化物的无帽层方法。所述方法包括以下步骤。提供选自硅和硅锗的半导体材料。在所述半导体材料上沉积至少一种硅化物金属。在约400℃到约800℃的温度下，将所述半导体材料和所述至少一种硅化物金属退火小于或等于约10毫秒的时长以形成硅化物。另外还提供了FET器件和用于制造FET器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 快速 退火 sige 形成 均匀 ni pt si ge 接触 方法 器件 | ||
【主权项】：
一种用于形成硅化物的无帽层方法，所述方法包括以下步骤：提供选自硅和硅锗的半导体材料；在所述半导体材料上沉积至少一种硅化物金属；以及在约400℃到约800℃的温度下，将所述半导体材料和所述至少一种硅化物金属退火小于或等于约10毫秒的时长以形成所述硅化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
