[发明专利]为使用全金属栅极的互补金属氧化物半导体集成多阈值电压器件的方法和系统有效
| 申请号： | 201310369841.5 | 申请日： | 2013-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN103632947A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | L·F·埃奇;H·杰加纳森;B·S·哈兰 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8238;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;于静 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 发明涉及为使用全金属栅极的互补金属氧化物半导体集成多阈值电压器件的方法和系统。提供衬底，该衬底上已形成有第一区域和与所述第一区域互补类型的第二区域。在所述衬底之上沉积栅极电介质，并且在所述栅极电介质之上沉积第一全金属栅极叠层。去除所述第一区域之上的所述第一全金属栅极叠层以产生所得到的结构。与所述第一区域之上的所述栅极电介质相接触地在所得到的结构之上沉积第二全金属栅极叠层。密封所述第一和第二全金属栅极叠层。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 全金属 栅极 互补 金属 氧化物 半导体 集成 阈值 电压 器件 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：提供衬底，该衬底上已形成有第一区域和与所述第一区域互补类型的第二区域；在所述衬底之上沉积栅极电介质；在所述栅极电介质之上沉积第一全金属栅极叠层；去除所述第一区域之上的所述第一全金属栅极叠层以产生所得到的结构；与所述第一区域之上的所述栅极电介质相接触地在所述所得到的结构之上沉积第二全金属栅极叠层；以及密封所述第一和第二全金属栅极叠层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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