[发明专利]Cu2-xSe纳米晶片的制备方法

摘要

本发明涉及一种Cu_2-xSe纳米晶片的制备方法，其特点是：包括以下制备过程：⑴配制铜前躯体溶液；⑵配制硒前驱体溶液；⑶注入回流，出现Cu_2-xSe纳米晶片；⑷对Cu_2-xSe纳米晶片进行洗涤、液体脱离，完成本发明Cu_2-xSe纳米晶片的制作过程。本发明采用了多元醇为溶剂、乙二胺为还原剂，无机铜盐为先质，易于溶解、对设备要求低，不仅解决了环境污染的问题，并且降低了产品制作成本；本发明常压下通过溶液化学合成的方法，不仅工艺简单、易于控制、排放量少、安全性好，而且制成的Cu_2-xSe纳米晶片具有分散性好、形貌均一、结晶度高的特点，利于大规模工业化生产。

主权项

Cu_2‑xSe纳米晶片的制备方法，其特征在于：包括以下制备过程：⑴配制铜前躯体溶液将无机铜盐溶解到多元醇溶剂中，形成铜前驱体溶液；⑵配制硒前驱体溶液将Se粉和PVP溶剂注入盛有三乙二醇多元醇溶剂的容器中，加入乙二胺还原剂，惰性气氛下加热至180℃以上，Se粉完全溶解后，形成硒前驱体溶液；⑶注入回流继续加热硒前驱体溶液至210℃以上作为注入温度，将铜前驱体溶液与硒前驱体溶液进行反应；调节注入温度至150℃以上作为回流温度，保持5min‑2h作为回流时间，然后将反应容器置于常温水中，猝灭其反应过程，反应容器中出现Cu_2‑xSe纳米晶片（其中X为0.1‑0.2）；⑷分离分离掉反应容器中的液体，得到固态Cu_2‑xSe纳米晶片；对Cu_2‑xSe纳米晶片进行洗涤、液体脱离，完成本发明Cu_2‑xSe纳米晶片的制作过程。