[发明专利]Cu2-xSe纳米晶片的制备方法在审
| 申请号： | 201310362892.5 | 申请日： | 2013-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN104418311A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 王鑫 | 申请（专利权）人： | 天津恒电空间电源有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人： | 李凤 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cu sub se 纳米 晶片 制备 方法 | ||
1.Cu2-xSe纳米晶片的制备方法，其特征在于：包括以下制备过程：
⑴配制铜前躯体溶液
将无机铜盐溶解到多元醇溶剂中，形成铜前驱体溶液；
⑵配制硒前驱体溶液
将Se粉和PVP溶剂注入盛有三乙二醇多元醇溶剂的容器中，加入乙二胺还原剂，惰性气氛下加热至180℃以上，Se粉完全溶解后，形成硒前驱体溶液；
⑶注入回流
继续加热硒前驱体溶液至210℃以上作为注入温度，将铜前驱体溶液与硒前驱体溶液进行反应；调节注入温度至150℃以上作为回流温度，保持5min-2h作为回流时间，然后将反应容器置于常温水中，猝灭其反应过程，反应容器中出现Cu2-xSe纳米晶片（其中X为0.1-0.2）；
⑷分离
分离掉反应容器中的液体，得到固态Cu2-xSe纳米晶片；对Cu2-xSe纳米晶片进行洗涤、液体脱离，完成本发明Cu2-xSe纳米晶片的制作过程。
2.根据权利要求1所述的Cu2-xSe纳米晶片的制备方法，其特征在于：所述⑴中的无机铜盐为CuCl2·2H2O，多元醇为三乙二醇，CuCl2·2H2O和三乙二醇溶剂的比例为0.01-0.04mol：8-15mL。
3.根据权利要求1所述的Cu2-xSe纳米晶片的制备方法，其特征在于：所述⑵中的多元醇为三乙二醇，硒前驱体溶液中Se粉、PVP溶剂、三乙二醇溶剂和乙二胺还原剂的比例为0.01mol：0.1g：35-42mL：0.5mL，所述惰性气氛为氮气，加热温度为180-200℃。
4.根据权利要求1所述的Cu2-xSe纳米晶片的制备方法，其特征在于：所述⑶中的注入温度为210-230℃，铜前驱体溶液与硒前驱体溶液的比例为摩尔比Se：Cu=1：2，回流温度为150-210℃，常温水的温度为25℃，所述X为0.1-0.2。
5.根据权利要求1所述的Cu2-xSe纳米晶片的制备方法，其特征在于：所述⑷中的洗涤为用酒精进行5-15分钟超声洗涤，所述液体脱离为离心管以7000-10000转/分的速度进行5-15分钟的液体脱离；同样方式进行三次超声洗涤、液体脱离。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津恒电空间电源有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所，未经天津恒电空间电源有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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