[发明专利]薄化及/或切粒具有集成电路产品形成于其上的半导体衬底的方法有效
| 申请号： | 201310351365.4 | 申请日： | 2013-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN103594332B | 公开（公告）日： | 2015-07-22 |
| 发明（设计）人： | R·阿加瓦尔;R·阿拉帕蒂;J·格林伍德 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明揭露一种薄化及/或切粒具有集成电路产品形成于其上的半导体衬底的方法，其中，揭示于本文的一个示范方法包括下列步骤：在结晶半导体衬底上方形成多个晶粒，照射及冷却该衬底的边缘区域以形成非晶区域于该衬底的该边缘区域中，以及在形成该非晶区域后，执行至少一个工艺操作以减少该衬底的该厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 集成电路 产品 形成 半导体 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，包含：在结晶半导体衬底上方形成多个晶粒，该衬底具有厚度；照射及冷却该衬底的边缘区域，以形成非晶区域于该衬底的该边缘区域中；以及在形成该非晶区域后，执行至少一个工艺操作，以减少该衬底的该厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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