[发明专利]对电压转换具有高免疫性的ESD保护电路无效
申请号: | 201310336986.5 | 申请日: | 2013-08-05 |
公开(公告)号: | CN103579226A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | V·库兹涅佐夫 | 申请(专利权)人: | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及对电压转换具有高免疫性的ESD保护电路。公开了用于集成电路的保护电路。该保护电路包括保护晶体管(MN0),该保护晶体管具有耦合在第一端子(VDD)和第二端子(GND)之间的电流路径。电流镜(MP1,MP2,MN2,MN1)具有耦合到保护晶体管的控制端子的输出端子。延迟电路(R1,C0)连接在第一端子和第二端子之间,并且具有连接到电流镜的第一输入端子(MN1)的延迟输出端子。 | ||
搜索关键词: | 电压 转换 具有 免疫性 esd 保护 电路 | ||
【主权项】:
一种保护电路,其包括:第一端子;第二端子;保护晶体管,其具有控制端子并且具有耦合在所述第一端子和所述第二端子之间的电流路径;电流镜,其具有耦合到所述控制端子的输出端子并且具有输入端子;以及延迟电路,其连接在所述第一端子和所述第二端子之间并且具有连接到所述输入端子的延迟输出端子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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