[发明专利]一种MEMS麦克风结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种MEMS麦克风结构，包括衬底，其具有腔体；第一介质层，形成于衬底上表面，具有与所述腔体相通的通孔；下电极结构，其包括相互连接的下电极主体部及第一引出部，下电极主体部位于所述通孔上方，第一引出部与所述第一介质层的上表面接触；上电极结构，其包括上电极主体部、第二引出部以及连接上电极主体部和第二引出部的开口环形支撑结构；其中该开口环形支撑结构位于所述下电极结构以外区域且其底部支撑于所述衬底上；上、下电极主体部之间形成空气隙；以及释放孔，形成于所述上电极主体部或所述下电极主体部，与所述空气隙连通。本发明能够避免上电极和振动膜在释放工艺中遭受损害或脱落。

主权项

1.一种MEMS麦克风结构，其特征在于，包括：衬底，其具有腔体；第一介质层，形成于所述衬底上表面，具有与所述腔体相通的通孔；下电极结构，其包括相互连接的下电极主体部及第一引出部，所述下电极主体部位于所述通孔的上方，所述第一引出部与所述第一介质层的上表面接触；上电极结构，其包括上电极主体部、第二引出部以及连接所述上电极主体部和第二引出部的开口环形支撑结构；其中所述上电极主体部、第二引出部以及开口环形支撑结构为导电材料；所述开口环形支撑结构位于所述下电极结构以外区域且其底部支撑于所述衬底上；所述上电极主体部通过所述开口环形支撑结构悬空于所述下电极主体部上方并与所述下电极主体部之间形成空气隙；以及释放孔，形成于所述上电极主体部或所述下电极主体部，与所述空气隙连通；其中所述开口环形支撑结构的底部与所述衬底上表面之间具有隔离层或所述开口环形支撑结构底部正下方的所述衬底中形成掺杂区；当所述开口环形支撑结构的底部与所述衬底上表面之间具有隔离层时，所述环形支撑结构通过所述隔离层支撑于所述衬底上；当所述开口环形支撑结构底部正下方的所述衬底中形成掺杂区时，所述上电极结构的材料为掺杂的多晶硅且掺杂类型与所述衬底相反，所述开口环形支撑结构底部正下方的所述衬底中形成的掺杂区与所述上电极结构的多晶硅掺杂类型相同。