[发明专利]像素结构

摘要

一种像素结构，包括半导体图案、第一绝缘层、第一导体层、第二绝缘层、第二导体层、第三绝缘层及像素电极。半导体图案包括第一接触区、第二接触区及通道区。第一导体层包括闸极及扫描线。第一绝缘层的第一上部接触开口与第二绝缘层的第一下部接触开口构成第一接触开口。第一接触开口暴露半导体图案以定义出第一接触区。第二导体层包括接触于第一接触区的资料线。资料线的第一侧壁位于第一接触开口的面积之内。像素电极电性连接第二接触区。本发明资料线的线宽可设计的较小，进而达到提升像素结构开口率的目的。

主权项

一种像素结构，其特征在于，包括：一半导体图案，配置于一基板上，且该半导体图案包括一第一接触区、一第二接触区以及位于该第一接触区与该第二接触区之间的一通道区；一第一绝缘层，覆盖该半导体图案，并且具有一第一下部接触开口；一第一导体层，配置于该基板上，并且该第一导体层包括重叠于该通道区的一闸极以及连接于该闸极的一扫描线；一第二绝缘层，覆盖该第一导体层并具有一第一上部接触开口，其中该第一上部接触开口与该第一下部接触开口构成一第一接触开口而该第一接触开口暴露该半导体图案以定义出该第一接触区；一第二导体层，配置于该第二绝缘层上，且该第二导体层包括相交于该扫描线的一资料线，该资料线接触于该第一接触开口所暴露出来的该第一接触区，且该资料线的一第一侧壁位于该第一接触开口的面积之内；一第三绝缘层，覆盖该第二导体层；以及一像素电极，配置于该第三绝缘层上并且电性连接该第二接触区。