[发明专利]多层芯片堆叠结构及其实现方法有效
| 申请号： | 201310333411.8 | 申请日： | 2013-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN103400830A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 宋崇申 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/48;H01L21/98;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 任益 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多层芯片堆叠结构，至少包含三层芯片，中间层芯片内包含TSV，在至少一个中间层芯片之外区域加工有穿透介质层的金属柱，直接实现非邻近层的通讯。还公开了两种多层芯片堆叠的实现方法，本发明在使用TSV的同时，在中间层芯片之外的区域，制作穿透介质层的垂直导电通道，直接实现跨层通讯，不仅降低了内层芯片的压力，也为系统设计提供了更多自由度。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 芯片 堆叠 结构 及其 实现 方法 | ||
【主权项】：
一种多层芯片堆叠结构，至少包含三层芯片，其特征在于：中间层芯片内包含TSV，在至少一个中间层芯片之外区域加工有穿透介质层的金属柱，直接实现非邻近层的通讯。
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