[发明专利]五晶体管SRAM单元有效
| 申请号： | 201310326123.X | 申请日： | 2013-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN103578528A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 苏希尔·苏达姆·萨卡尔 | 申请（专利权）人： | 美国博通公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 田喜庆 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了五晶体管静态随机读写存储器（SRAM）单元，其可构成SRAM阵列的一部分以提供改善的尺寸减小。该单元包括两个各自具有两个互补晶体管的交叉耦接的反相器，和连接至位线（BL）和字线（WL）的n沟道晶体管开关。该反相器中的一个的p沟道元件连接至电源，而另一个反相器的p沟道晶体管耦接至写位线（WBL）。通过改变该BL和WBL线的电压电平，该反相器中的每一个独立的n沟道晶体管的偏置可根据写入该单元的数据而改变。提出了各种偏置系统，使得可改变该SRAM单元存储器状态而无需更大的晶体管元件来为该单元的状态提供过大的功率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 sram 单元 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器，包括：彼此交叉耦接的第一反相器和第二反相器；耦接至所述第一反相器的输入端的存取开关；耦接至所述存取开关的第一控制线；以及耦接至所述第二反相器的第二控制线；其中，所述第一反相器和第二反相器被配置为响应于所述第一控制线被驱动至高于参考电压以及所述第二控制线被驱动至低于参考电压来不相等地偏置。
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