[发明专利]电阻式存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 201310324933.1 | 申请日： | 2013-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN104347799A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 许博砚;沈鼎瀛;江明崇;魏敏芝 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张然;李昕巍 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电阻式存储器及其制造方法。此电阻式存储器包括第一电极、第二电极、第一介电层、第二介电层以及第三介电层。第一电极与第二电极相对设置。当对电阻式存储器进行设定时电流从第二电极流至第一电极，而当对电阻式存储器进行重置时电流从第一电极流至第二电极。第一介电层配置于第一电极与第二电极之间。第二介电层配置于第一介电层与第二电极之间。第三介电层配置于第二介电层与第二电极之间。第一介电层的材料与第三介电层的材料相同，且第二介电层的材料与第一介电层及第三介电层的材料不同。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电阻式存储器，其特征在于，包括：相对设置的第一电极与第二电极，其中当对该电阻式存储器进行设定时电流从该第二电极流至该第一电极，而当对该电阻式存储器进行重置时电流从该第一电极流至该第二电极；第一介电层，配置于该第一电极与该第二电极之间；第二介电层，配置于该第一介电层与该第二电极之间；以及第三介电层，配置于该第二介电层与该第二电极之间，其中该第一介电层的材料与该第三介电层的材料相同，且该第二介电层的材料与该第一介电层及该第三介电层的材料不同。
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