[发明专利]一种高精度基准电压源有效
| 申请号： | 201310301513.1 | 申请日： | 2013-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN103412611A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 方健;王贺龙;谷洪波;潘华;袁同伟;黄帅 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李顺德;王睿 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路技术，具体的说是涉及一种高精度基准电压源。本发明所述的一种高精度基准电压源，其特征在于，包括基准电流产生模块、基准电压产生模块、第一至第二NMOS管；基准电流产生模块的第一输出端与第一NMOS管的栅极和漏极以及基准电压产生模块的第一输入端连接、第二输出端与第二NMOS管的栅极和漏极以及基准电压产生模块的第二输入端连接、第三输出端与基准电压产生模块的第三输入端连接、电源端与基准电压产生模块的电源端均接电源VDD、接地端与基准电压产生模块的接地端、第一NMOS管的源极和第二NMOS管的源极均接地。本发明的有益效果为，具有电路原理简单、基准电压温度系数较低的优点。本发明尤其适用于基准电压源。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高精度 基准 电压 | ||
【主权项】：
一种高精度基准电压源，其特征在于，包括基准电流产生模块、基准电压产生模块、第一至第二NMOS管；所述基准电流产生模块的第一输出端与第一NMOS管的栅极和漏极以及基准电压产生模块的第一输入端连接、第二输出端与第二NMOS管的栅极和漏极以及基准电压产生模块的第二输入端连接、第三输出端与基准电压产生模块的第三输入端连接、电源端与基准电压产生模块的电源端均接电源VDD、接地端与基准电压产生模块的接地端、第一NMOS管的源极和第二NMOS管的源极均接地；所述基准电压产生模块的输出端为高精度基准电压源的输出端Vref。
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