[发明专利]一种锗基高介电常数绝缘介质的MOS电容器及其制备方法无效
| 申请号： | 201310284376.5 | 申请日： | 2013-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN103413837A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 卢红亮;谢章熠;耿阳;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L21/334 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于微电子领域，具体涉及一种锗基高介电常数绝缘介质的MOS电容器及其制备方法。本发明所涉及的MOS电容器，采用n型锗（Ge）作为半导体衬底，采用高介电常数的Al2O3薄膜和TiO2薄膜混合结构作为绝缘介质，并以Al2O3薄膜开始和结束薄膜叠层结构，最终形成金属/绝缘体/锗半导体结构。本发明采用原子层淀积技术制备锗上高介电常数绝缘介质，可以有效解决锗本征氧化物热稳定性和可溶于水的不足，为新型器件的研发提供宽广前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锗基高 介电常数 绝缘 介质 mos 电容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种锗基高介电常数绝缘介质的MOS电容器，其特征在于：采用n型锗（Ge）作为半导体衬底，采用高介电常数的Al2O3薄膜和TiO2薄膜混合结构作为绝缘介质，并以Al2O3薄膜开始和结束，形成金属/绝缘体/锗半导体结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310284376.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种晶体硅太阳电池及其制备方法
- 下一篇：薄膜晶体管及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
