[发明专利]一种上转换发光的Er/Yb共掺杂TiO2薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201310271374.2 | 申请日： | 2013-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN103397302A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 沈杰;毛鑫光;王俊;罗胜耘 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于太阳能和激光技术领域，具体为一种上转换发光的Er/Yb共掺杂TiO2薄膜的制备方法。本发明采用射频磁控溅射技术，靶材使用镶嵌金属Er片和Yb片的TiO2陶瓷靶，基片为石英或硅片；射频磁控溅射制备得上转换发光的稀土元素Er/Yb共掺杂TiO2薄膜，并通过控制靶材中Er和Yb的含量来控制掺杂量，从而得到致密性好，均匀程度高，机械和光学性能优良的上转换发光薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 转换 发光 er yb 掺杂 tio sub 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种上转换发光的Er/Yb共掺杂TiO2薄膜的制备方法，其特征在于，采用射频磁控溅射技术，靶材使用镶嵌金属Er片和Yb片的TiO2陶瓷靶，基片采用石英或硅片，射频磁控溅射制备得上转换发光的稀土元素Er/Yb共掺杂TiO2薄膜，通过控制靶材中Er和Yb的含量来控制掺杂量；制备的具体条件如下：基板温度为室温至300℃；溅射前真空室本底压强为2.0×10‑3 Pa，射频磁控溅射时使用氧氩混合气体，总气压为0.1~1.0 Pa，其中，O2分压占总气压比为0.5~10.0％；溅射功率密度为17.7~177 kW/m2 ；制备出的薄膜样品在空气下退火，或者在氮气、惰性气体保护下退火，退火温度为500~1200℃，退火时间为0.5~5小时。
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