[发明专利]应用真空环境检测光阻与氮化硅薄膜契合度的方法有效
| 申请号： | 201310264748.8 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103367190A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 范荣伟;倪棋梁;陈宏璘;龙吟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种应用真空环境检测光阻与氮化硅薄膜契合度的方法，包括：将晶圆流片至在硅片上形成了氮化硅薄膜的步骤；将表面形成有氮化硅薄膜的多个晶圆分别置于多个不同真空度的真空环境中预定时间；将标准大气压分别除以所述多个不同真空度的气压，得到多个不同比值作为所述多个不同真空度的真空度系数；针对所述多个晶圆，采用需要检测的光阻原材料进行光刻工艺，并在光刻后检查光阻显影不足缺陷，识别出所述多个晶圆中没有缺陷的无缺陷晶圆和有缺陷的缺陷晶圆；将光阻与氮化硅薄膜之间的契合度确定为：大于或等于无缺陷晶圆所处的真空环境中的最大的真空度系数，并小于缺陷晶圆所处的真空环境中的最小的真空度系数。 | ||
| 搜索关键词： | 应用 真空 环境 检测 氮化 薄膜 契合 方法 | ||
【主权项】：
一种应用真空环境检测光阻与氮化硅薄膜契合度的方法，其特征在于包括：第一步骤：将晶圆流片至在硅片上形成了氮化硅薄膜的步骤；第二步骤：将表面形成有氮化硅薄膜的多个晶圆分别置于多个不同真空度的真空环境中预定时间；第三步骤：将标准大气压分别除以所述多个不同真空度的气压，得到多个不同比值作为所述多个不同真空度的真空度系数；第四步骤：针对所述多个晶圆，采用需要检测的光阻原材料进行光刻工艺，并在光刻后检查光阻显影不足缺陷，识别出所述多个晶圆中没有缺陷的无缺陷晶圆和有缺陷的缺陷晶圆；第五步骤：将光阻与氮化硅薄膜之间的契合度确定为：大于或等于无缺陷晶圆所处的真空环境中的最大的真空度系数，并小于缺陷晶圆所处的真空环境中的最小的真空度系数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
