[发明专利]改善晶圆边缘光滑度的装置及方法在审
申请号: | 201310264683.7 | 申请日: | 2013-06-27 |
公开(公告)号: | CN103346108A | 公开(公告)日: | 2013-10-09 |
发明(设计)人: | 倪棋梁;陈宏璘;龙吟 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及集成电路制造工艺中,具体涉及一种改善晶圆边缘光滑度的装置及方法,包括一可旋转的平台,平台上下方分别设置有至少一根清洗管,每根清洗管与平台之间的角度为40~60°;将一边缘具有膜材的晶圆放置吸附在平台上,平台可带动晶圆进行旋转,然后利用清洗管喷射出湿法清洗液对晶圆边缘表面进行湿法清洗,以去除晶圆边缘的多余的膜材或其他介质层,进而提高了晶圆边缘表面的光滑度,避免在后续的工艺中由于晶圆边缘的膜材脱落进而影响生成工艺。 | ||
搜索关键词: | 改善 边缘 光滑 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种改善晶圆边缘光滑度的装置,其特征在于,所述装置包括一平台和清洗管;所述平台装载一边缘具有膜材的晶圆,并带动所述晶圆进行自转;所述清洗管临近所述晶圆的边缘设置,以喷射清洗液去除所述晶圆边缘的膜材。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造