[发明专利]LDMOS及其制造方法

摘要

本发明公开了一种LDMOS及其制造方法。该LDMOS包括衬底、体区、漂移区、源极、栅极、漏极、栅氧化层、场氧化层和漏极场板，所述漏极场板与所述漏极电连接，其中位于漏极场板和漂移区之间的部分场氧化层的厚度不等，沿着接近所述漏极的方向递减，所述漏极场板在所述部分场氧化层上方连续分布。本发明提供的LDMOS，由于漏极场板下方的场氧化层呈变化减小的厚度，所以漏极场板对漂移区表面的自由电子的吸引作用也呈现逐步变化的分布，从而使得漂移区表面的电场分布更均匀，LDMOS的击穿电压更高。

主权项

一种横向双扩散金属氧化物晶体管LDMOS的制造方法，其特征在于，包括：在衬底上形成体区、漂移区、场氧化层、源极、漏极和栅氧化层；在所述衬底上对所述栅氧化层和场氧化层实施构图工艺，刻蚀掉部分所述栅氧化层以形成厚栅氧化层的图案，同时将位于漏极场板和漂移区之间的部分场氧化层的厚度刻蚀至所述部分场氧化层的厚度沿着接近所述漏极的方向递减；在所述衬底上形成薄栅氧化层的图案；在所述衬底上采用构图工艺形成栅极和漏极场板的图案，所述漏极场板与所述漏极电连接，且所述漏极场板在所述部分场氧化层上方连续分布；在所述衬底上对所述栅氧化层和场氧化层实施构图工艺，刻蚀掉部分所述栅氧化层以形成厚栅氧化层的图案，同时将位于漏极场板和漂移区之间的部分场氧化层的厚度刻蚀至所述部分场氧化层的厚度沿着接近所述漏极的方向递减包括：在所述衬底上对所述栅氧化层和场氧化层采用湿法腐蚀工艺同时进行刻蚀，将所述源极和漏极上方的栅氧化层刻蚀掉，以形成厚栅氧化层的图案，且将所述部分场氧化层邻近所述漏极的部分刻蚀掉与所述厚栅氧化层相同的厚度，以使位于漏极场板和漂移区之间的所述部分场氧化层的横截面为两层阶梯状。