[发明专利]一种集成电路铜互连结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201310235819.1 | 申请日： | 2013-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN103325770A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 卢红亮;张远;朱尚斌;耿阳;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种集成电路铜互连结构与制备方法。本发明提出一种新的Ru-N-Ta结构代替传统的TaN/Ta结构作为扩散阻挡层/粘附层/籽晶层。使用原子层沉积镀膜（ALD）方法制备出Rux(TaN)y薄膜，x，y的取值范围是0.05-0.95，x与y之和为1。通过调节Ru与TaN两者的比例，可以得到较好的Cu扩散阻挡能力和粘附能力。本发明的优点可在高深宽比结构上生长均匀非晶薄膜的特点，制备出Ru-N-Ta结构同时充当Cu扩散阻挡层/粘附层/籽晶层，大大减小薄膜厚度；可以改善Cu阻挡与粘附性能，减少工艺步骤，还可以提高铜互连的导电性能，为铜互连工艺提供了一种简单实用的可行性方案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 互连 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路铜互连结构，其特征在于使用ALD方法交替生长TaN与Ru原子层形成的Ru‑N‑Ta薄膜代替传统的TaN/Ta结构作为Cu扩散阻挡层/粘附层/籽晶层；其表达式为Rux(TaN)y，其中x, y的取值范围是0.05‑0.95，x与y之和为1。
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