[发明专利]制造氮化镓基板的方法及由此制造的氮化镓基板无效
| 申请号： | 201310232719.3 | 申请日： | 2013-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN103489970A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 林圣根;朴甫益;朴喆民;李东龙;金宇理汉;金俊会;裵峻莹;李原兆;崔准成 | 申请（专利权）人： | 三星康宁精密素材株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 制造氮化镓(GaN)基板的方法和由此制造的GaN基板。所述方法包含下列步骤：在基底基板上生长氮化铝成核层，在上面已生长所述氮化铝成核层的所述基底基板上生长第一氮化镓膜，所述第一氮化镓膜具有氮对镓的第一含量比，在所述第一氮化镓膜上生长第二氮化镓膜，所述第二氮化镓膜具有小于所述第一含量比的氮对镓的第二含量比。在生长过程中，可以发生所述基底基板与GaN基板之间的自分离，从而排除了机械分离，提高了自分离的面积，并使翘曲的发生最小化。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 氮化 镓基板 方法 由此 | ||
【主权项】：
一种制造氮化镓基板的方法，包括：在基底基板上生长氮化铝成核层；在上面已生长所述氮化铝成核层的所述基底基板上生长第一氮化镓膜，所述第一氮化镓膜具有氮对镓的第一含量比；和在所述第一氮化镓膜上生长第二氮化镓膜，所述第二氮化镓膜具有小于所述第一含量比的氮对镓的第二含量比。
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