[发明专利]自对准双图形工艺

摘要

本发明提出一种自对准双图形工艺，在形成待刻蚀层条之后，去除第二掩膜层图形的两端之前，先在所述半导体衬底以及第二掩膜层图形的表面形成保护层，由于保护层能够遮挡住所述半导体衬底，因此能够在去除第二掩膜层图形的两端时对所述半导体衬底起到保护作用，从而避免刻蚀对半导体衬底造成损伤，提高了半导体晶圆的良率。

主权项

一种自对准双图形工艺，包括步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成待刻蚀层和按第一密度分布的第一掩膜层图形；在所述待刻蚀层的表面以及第一掩膜层图形的顶面和侧面形成第二掩膜层；刻蚀去除所述第一掩膜层以及其顶面的第二掩膜层和形成在所述待刻蚀层表面的部分第二掩膜层，得到第二掩膜层图形，所述第二掩膜层图形按第二密度分布；以所述第二掩膜层图形为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层，形成待刻蚀层条；在所述半导体衬底以及第二掩膜层图形的表面形成保护层；以所述保护层为掩膜，刻蚀去除第二掩膜层图形的两端，使第二掩膜层图形彼此独立；去除所述保护层；其中，在形成保护层之后，刻蚀去除第二掩膜层图形的两端之前，采用回刻蚀去除部分保护层。