[发明专利]改进离子掺杂多晶硅栅极刻蚀工艺的方法无效
| 申请号： | 201310228606.6 | 申请日： | 2013-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN103346075A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 束伟夫;唐在峰;方超;任昱;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种改进离子掺杂多晶硅栅极刻蚀工艺的方法，包括：利用膜厚测量仪，在测量多晶硅栅极硬掩模层厚度的测量的工艺中，测量多晶硅栅极中离子掺杂多晶硅栅极的厚度和多晶硅栅极生长的原始厚度；利用测量得到的多晶硅栅极生长的原始厚度，减去离子掺杂多晶硅栅极的厚度，得到非掺杂多晶硅栅极的厚度；对离子掺杂多晶硅栅极进行刻蚀，其中根据第一公式和离子掺杂多晶硅栅极的厚度来计算离子掺杂多晶硅栅极的第一刻蚀时间，通过先进制程控制来实时修正每片硅片的第一刻蚀时间；对非掺杂多晶硅栅极进行刻蚀，其中根据第二公式和非掺杂多晶硅栅极的厚度来计算非掺杂多晶硅栅极的第二刻蚀时间，其中通过先进制程控制来实时修正每片硅片的第二刻蚀时间。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 离子 掺杂 多晶 栅极 刻蚀 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种改进离子掺杂多晶硅栅极刻蚀工艺的方法，其特征在于包括： 第一步骤：利用膜厚测量仪，在测量多晶硅栅极硬掩模层厚度的测量的工艺中，测量多晶硅栅极中离子掺杂多晶硅栅极的厚度以及多晶硅栅极生长的原始厚度； 第二步骤：利用测量得到的多晶硅栅极生长的原始厚度，减去离子掺杂多晶硅栅极的厚度，得到非掺杂多晶硅栅极的厚度； 第三步骤：对离子掺杂多晶硅栅极进行刻蚀，其中根据第一公式和离子掺杂多晶硅栅极的厚度来计算离子掺杂多晶硅栅极的第一刻蚀时间Timedoped，并且其中通过先进制程控制来实时修正每片硅片的第一刻蚀时间Timedoped； 第四步骤：对非掺杂多晶硅栅极进行刻蚀，其中根据第二公式和非掺杂多晶硅栅极的厚度来计算非掺杂多晶硅栅极的第二刻蚀时间Timeundoped，并且其中通过先进制程控制来实时修正每片硅片的第二刻蚀时间Timeundoped。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
