[发明专利]一种TiNi基形状记忆合金多层薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201310218960.0 | 申请日： | 2013-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN103305801A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 佟运祥;郑玉峰;李莉;陈枫;刘珺婷;胡茜 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54;B32B15/01 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提供的是一种TiNi基形状记忆合金多层薄膜及其制备方法。(一)、将衬底置于真空室样品台上，抽真空,采用TiNi基合金或者将纯金属粘贴在TiNi合金上作为靶材，充入氩气，将样品台加热至250～450°C，然后在溅射功率为200～600W，靶材与衬底间距为60～200mm的条件下溅射制备一层薄膜；(二)、将电源切换至另外的靶位，以同样条件制备在步骤（一）获得的薄膜上沉积一层薄膜；（三）、重复步骤（二），即可得到所需要的多层薄膜。本发明制备的TiNi基记忆合金多层膜的相变温度区间大，阻尼性能优异。本发明所采用的工艺简单，与现有微机电系统制造工艺兼容性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tini 形状 记忆 合金 多层 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种TiNi基形状记忆合金多层薄膜，其特征是：是由TiNiFe层、TiNi层和TiNiHf层按周期排列的多层膜。
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