[发明专利]PMOS设备的中原位掺杂硅锗接合在审

申请号：	201310205234.5	申请日：	2013-05-29
公开（公告）号：	CN103456693A	公开（公告）日：	2013-12-18
发明（设计）人：	J·亨治尔;S·Y·翁;S·弗莱克豪斯基;T·沙伊普	申请（专利权）人：	新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
主分类号：	H01L21/8238	分类号：	H01L21/8238;H01L29/08;H01L27/092
代理公司：	北京戈程知识产权代理有限公司 11314	代理人：	程伟;王锦阳
地址：	新加坡***	国省代码：	新加坡;SG
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摘要：	本发明涉及PMOS设备的中原位掺杂硅锗接合，提供一种具有PMOS嵌入式硅锗源极/漏极区的高介电常数金属栅极(HKMG)装置。本发明的实施例包含形成第一及第二HKMG栅极堆栈于基板上，该堆栈各自包含有二氧化硅盖、形成延伸区于该第一HKMG栅极堆栈的相对侧、形成氮化物衬垫以及氧化物衬垫于HKMG栅极堆栈的各侧上；形成硬掩模于该第二HKMG栅极堆栈上方；形成嵌入式硅锗于该第一HKMG栅极堆栈的相对侧、移除该硬掩模、形成共形的衬垫以及氮化物间隔于各该第一及第二HKMG栅极堆栈的氧化物间隔上，以及形成深源极/漏极区于该第二HKMG栅极堆栈的相对侧。
搜索关键词：	pmos 设备原位掺杂接合
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【主权项】：

一种方法，包括：形成第一及第二高介电常数金属栅极(HKMG)栅极堆栈于基板上，各个HKMG栅极堆栈是包含二氧化硅(SiO2)盖；形成延伸区于该第一HKMG栅极堆栈的相对侧；形成氮化物衬垫以及氧化物间隔于各该第一及第二HKMG栅极堆栈的各侧上；形成硬掩模于该第二HKMG栅极堆栈上方；形成嵌入式硅锗(eSiGe)于该第一HKMG栅极堆栈的相对侧；移除该硬掩模；形成共形的衬垫以及氮化物间隔于各该第一及第二HKMG栅极堆栈的该氧化物间隔上；以及形成深源极/漏极区于该第二HKMG栅极堆栈的相对侧。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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