[发明专利]一种聚二甲基硅氧烷薄膜的制作方法无效
| 申请号： | 201310203713.3 | 申请日： | 2013-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN103302842A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 赖宝玲 | 申请（专利权）人： | 苏州扬清芯片科技有限公司 |
| 主分类号： | B29C51/00 | 分类号： | B29C51/00;B29L7/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种简便易行的聚二甲基硅氧烷薄膜的制作方法，该聚二甲基硅氧烷薄膜是通过将一定比例的预聚体和引发剂混合物填充到两个平行的基板中，加热聚合制备而成。本发明中提出的这种聚二甲基硅氧烷薄膜的制作方法，简便易行，避免使用甩胶工艺，能够满足微流控芯片的使用需求，在化学、生物、医学等应用领域具有良好的前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 聚二甲基硅氧烷 薄膜 制作方法 | ||
【主权项】：
一种聚二甲基硅氧烷薄膜的制作方法，其特征在于该薄膜是通过将一定比例的预聚体和引发剂混合物填充到两个平行的基板中，加热聚合制备而成。
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