[发明专利]基于DFB激光器的光学晶体电场传感器有效
申请号: | 201310195659.2 | 申请日: | 2013-05-23 |
公开(公告)号: | CN103308783A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 陈洪波;白欢;张福州;方欣;段晓方 | 申请(专利权)人: | 国家电网公司;四川电力科学研究院 |
主分类号: | G01R29/12 | 分类号: | G01R29/12 |
代理公司: | 成都信博专利代理有限责任公司 51200 | 代理人: | 舒启龙 |
地址: | 100031 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及传感器领域,具体涉及一种基于DFB激光器的光学晶体电场传感器,按照光线输出输入顺序依次包括DFB激光器(2),1/4λ玻片(3),Pockels晶体(4),检偏器(5),电探测器(6)和光电前置放大器(7)。本发明的作用是DFB激光器光功率高,极大降低成本和降低制作难度,偏振模式噪声会大幅度降低,无须光纤耦合,避免了由轻微抖动引起的功率噪声和偏振模式噪声,由于使用相对噪声强度极低的DFB激光器作为光源,因此可探测的电场强度灵敏度非常高。 | ||
搜索关键词: | 基于 dfb 激光器 光学 晶体 电场 传感器 | ||
【主权项】:
一种基于DFB激光器的光学晶体电场传感器,其特征在于:按照光线输出输入顺序依次包括:‑DFB激光器(2):DFB激光器作为光源,其内装有自动功率控制和自动温度控制电路(1),具有两个方向相互垂直的偏振,并且两个偏振方向的偏振度差别在20dB以上;‑1/4λ玻片(3):1/4λ玻片的光轴方向与DFB激光器的光轴方向互成45°角;‑Pockels晶体(4):检测光的相位差反应出电场强度;‑检偏器(5):检偏器输出光线方向与DFB激光器发射光线方向相互垂直;‑光电探测器(6):将光信号转换成电信号;‑光电前置放大器(7):对电信号进行放大以获得适当幅度的电信号。
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