[发明专利]产生接触开口的方法和产生自对准接触结构的方法

摘要

本发明提供了产生半导体主体中的接触开口和半导体主体上的自对准接触结构的方法。通过在半导体主体的主表面上形成多个自对准结构来在所述半导体主体中产生接触开口，每个自对准结构均填充在所述半导体主体中形成的沟槽并且在所述主表面上方延伸且延伸到所述主表面上。相邻的所述自对准结构具有彼此面对的间隔隔开侧壁。在所述自对准结构的所述侧壁上形成间隔件层。在所述间隔件层处于所述自对准结构的侧壁上的同时，在相邻的所述自对准结构之间在所述半导体主体中形成开口。每个开口均具有一宽度以及相应于所述间隔件层的厚度的到邻近沟槽的所述侧壁的距离。还能够在半导体主体上，使用或不使用间隔件层来产生自对准接触结构。

主权项

一种产生半导体主体中的接触开口的方法，所述方法包括：在半导体主体的主表面上形成多个自对准结构，每个自对准结构均填充在所述半导体主体中形成的沟槽并且在所述主表面上方延伸并延伸到所述主表面上，所述自对准结构中的相邻自对准结构具有彼此面对的间隔开的侧壁；在所述自对准结构的侧壁上形成间隔件层；以及在所述间隔件层位于所述自对准结构的所述侧壁上的同时，在所述自对准结构中的相邻自对准结构之间，在所述半导体主体中形成开口，以便每个开口均具有一宽度并具有到邻近沟槽的侧壁的一距离，其与所述间隔件层的厚度对应。