[发明专利]基板处理装置和供给处理溶液的方法有效
申请号: | 201310157005.0 | 申请日: | 2013-04-28 |
公开(公告)号: | CN103377972A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 姜丙喆;金奉主;姜秉万;秋永浩 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 杨生平;钟锦舜 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及基板处理装置和供给处理溶液的方法。本发明提供了一种基板处理装置。该装置包括:处理腔室,其容纳基板并利用处理溶液处理基板;和供给单元,其为所述处理腔室供给处理溶液。供给单元包括:供给管路,处理溶液通过供给管路供给;初步加热器,其被安装在供给管路中并初步加热处理溶液;主加热器,其被安装在初步加热器下游处的供给管路上并二次加热处理溶液;第一绕行管路,其连接至供给管路以绕行至初步加热器并包括第一阀门;第二绕行管路,其连接至供给管路以绕行至初步加热器和主加热器或者绕行至主加热器并包括第二阀门;以及控制器,其控制第一阀门和第二阀门。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 供给 溶液 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,其包括:处理腔室,其容纳基板并利用处理溶液处理所述基板;以及供给单元,其向所述处理腔室供给所述处理溶液,其中,所述供给单元包括:供给管路,所述处理溶液通过所述供给管路供给;初步加热器,其安装在所述供给管路中并初步加热所述处理溶液;主加热器,其安装在所述初步加热器下游处的所述供给管路上并二次加热所述处理溶液;第一绕行管路,其连接至所述供给管路以绕行至所述初步加热器,并包括第一阀门;以及控制器,其控制所述第一阀门。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于细美事有限公司,未经细美事有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310157005.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造