[发明专利]一种在硅衬底上外延生长III族氮化物半导体材料的方法

摘要

本发明涉及一种在硅衬底上外延生长III族氮化物半导体材料的方法，首先在硅衬底表面形成晶态Si3N4层；然后通入铝源将晶态Si3N4层转化为AlN成核层；最后在AlN成核层上外延生长III族氮化物半导体材料。本发明提供的生长方法通过将硅衬底表面氮化形成晶态Si3N4层再铝化形成AlN成核层，解决了硅衬底与III族氮化物半导体材料之间晶格失配的问题，在硅衬底上实现了高质量III族氮化物半导体材料的外延生长。本发明提供的生长方法工艺简便、操作简单，在一个反应室即可完成整个外延生长过程，具有大规模应用的前景。

主权项

一种在硅衬底上外延生长III族氮化物半导体材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在所述硅衬底表面形成0.1～50nm的晶态Si3N4层；S2：在500～1500℃的温度下通入铝源，将所述晶态Si3N4层转化为AlN成核层；S3：在所述AlN成核层上外延生长III族氮化物半导体材料。