[发明专利]插塞结构及其制作工艺

摘要

本发明公开一种插塞结构及其制作工艺，该插塞结构包含一第一介电层、一第二介电层、一阻障层以及一第二插塞。第一介电层位于一基底上，第一介电层具有一第一插塞位于其中，其中第一插塞连接位于基底中的一源/漏极。第二介电层位于第一介电层上，且第二介电层具有一开口暴露出第一插塞。阻障层顺应覆盖开口，其中阻障层具有一底部以及一侧壁部，且底部为单层并连接第一插塞，而侧壁部为双层。第二插塞填满开口并位于阻障层上。此外，本发明更提供一种形成此插塞结构的制作工艺。

主权项

一种插塞结构，包含：第一介电层，位于一基底上，该第一介电层具有第一插塞，位于其中，其中该第一插塞连接位于该基底中的一源/漏极；第二介电层，位于该第一介电层上，该第二介电层具有开口，暴露出该第一插塞；阻障层，顺应覆盖该开口，其中该阻障层具有底部以及侧壁部，且该底部为单层并连接该第一插塞，而该侧壁部为双层；以及第二插塞，填满该开口并位于该阻障层上。