[发明专利]半导体装置制造用粘结片及半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201310095364.8 | 申请日： | 2013-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN103360971A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 町井悟;山井敦史;春日英昌 | 申请（专利权）人： | 株式会社巴川制纸所 |
| 主分类号： | C09J7/02 | 分类号： | C09J7/02;C09J11/06;H01L21/603 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置制造用粘结片、半导体装置及半导体装置的制造方法。该半导体装置制造用粘结片包括基材以及设在所述基材的一面上且含有含氟添加剂的粘结剂层，并且以可剥离状粘贴在半导体装置的引线框架（20）或布线基板上，所述半导体装置制造用粘结片（10）的特征在于，所述粘结剂层的按照下述（I）式求出的表面氟复原率在70%以上：表面氟复原率（%）＝复原后表面氟含有率α÷初始表面氟含有率β×100 …（I）。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 粘结 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置制造用粘结片，其包括基材以及设在所述基材的一面上且含有含氟添加剂的粘结剂层，并且能够剥离地粘贴在半导体装置的引线框架或配线基板上，所述半导体装置制造用粘结片的特征在于，所述粘结剂层按照下述（I）式求出的表面氟复原率在70%以上，表面氟复原率（%）＝复原后表面氟含有率α÷初始表面氟含有率β×100 …（I）在（I）式中，复原后表面氟含有率α是对粘结剂层在氩气环境下以450W的输出条件进行1分钟的等离子体处理，然后将粘结剂层在220℃下加热15分钟后的粘结剂层的表面的氟含有率，初始表面氟含有率β是进行所述等离子体处理前的粘结剂层的表面的氟含有率，其中，氟含有率的单位是atom%。
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