[发明专利]硅微通道板真空填蜡结构释放方法无效
| 申请号： | 201310092179.3 | 申请日： | 2013-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN103165362A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 梁永照;柴进;杨继凯;王国政;端木庆铎 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01J9/12 | 分类号： | H01J9/12;B81C1/00 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 硅微通道板真空填蜡结构释放方法属于硅微细加工技术领域。现有技术工艺步骤较多，背部减薄消耗大量药品，且容易带来二次污染，石蜡填充效果差，盲孔率高，硅微通道板质量及成品率低。本发明在填蜡后抛光硅片背部，然后清洗并去蜡，其特征在于，所述填蜡工序是将经电化学腐蚀并清洗后的硅片与凝固状态的石蜡一同放入容器内，再将放置有所述硅片和石蜡的容器放入真空加热炉，抽真空后加热至所述石蜡熔化，熔化后的石蜡布满硅片正面，再将炉腔恢复常压，之后降温至室温。本发明填蜡充分，最后硅片的盲孔率仅为3.82×10-4%，硅微通道板质量及成品率大幅提高。另外，本发明不含硅片背部减薄工序，这也避免了药品的大量消耗和带来的二次污染。 | ||
| 搜索关键词： | 通道 真空 结构 释放 方法 | ||
【主权项】：
一种硅微通道板真空填蜡结构释放方法，在填蜡后抛光硅片背部，然后清洗并去蜡，其特征在于，所述填蜡工序是将经电化学腐蚀并清洗后的硅片与凝固状态的石蜡一同放入容器内，再将放置有所述硅片和石蜡的容器放入真空加热炉，抽真空后加热至所述石蜡熔化，熔化后的石蜡布满硅片正面，再将炉腔恢复常压，之后降温至室温。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长春理工大学，未经长春理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310092179.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
